三星预计在 2027 年推进 1.4nm 制程技术，将更积极争取美国境内晶圆代工市场
在加州举办的三星晶圆代工论坛中，三星宣布将在未来 5 年内将制程技术推进至 1.4nm 规格，并且预计在 2027 年将晶圆代工业务营收增加为 2021 年的 3 倍。
三星日前已经宣布其 3nm 制程代工芯片产品已经正式出货，并且强调领先其他竞争业者实现 3nm 制程技术量产。在此次论坛中，三星电子晶圆代工事业运行副总裁康文秀 (Moon-soo Kang) 表示，为了能在 2027 年实现进入 1.4nm 制程技术发展，三星将在诸多半导体技术取得飞跃式进展，并且在美国扩大晶圆代工业务发展。
除了计划在 2027 年进入 1.4nm 制程技术发展，三星更宣布将强化其环绕式闸极 (gate-all-around,GAA) 技术，在第二代设计中，将比第一代设计让晶体管尺寸缩减 20%，借此在晶圆面积内放入更多晶体管管，同时也能提高晶圆每单位功率运作效率。
另外，三星也透露将在 2025 年让 2nm 制程技术进入量产，借此提高晶圆量产制作能力。
目前三星也计划积极争取美国境内晶圆代工市场，除了在德州奥斯汀的工厂，目前也计划在邻近泰勒市兴建全新工厂，预计在 2024 年开始运作，并且计划以最新 3nm 制程技术提供代工量产资源。
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