台积电证实2nm制程将于2025年投入量产,可在相同功耗下提高10-15%运行性能

在美国加州圣塔克拉拉恢复实体形式举办的北美技术论坛中,台积电宣布将于2025年开始投入2nm制程量产。

台积电证实2nm制程将于2025年投入量产,可在相同功耗下提高10-15%运行性能

相比3nm制程,台积电表示2nm制程可在相同功耗下提高10-15%运行性能,而在相同性能下则可降低25-30%功耗。

在设计上,2nm制程技术采用纳米片晶体管 (Nanosheet)设计,借此取代过往使用多年的鳍式场效应晶体管 (FinFET)设计,同时也能结合Chiplet小芯片设计方案,分别可对应行动设备运算,以及高性能计算处理器设计需求。

至于3nm制程技术则会在今年下半年投入量产,其中将集成新版FINLEX,同样可让设计者能以更多弹性打造芯片,例如对应超高性能计算,或是着重功耗表现,以及在两者之间取得平衡。而台积电预期3nm制程应用时间将会拉长,借此满足更多市场使用需求。

另外,台积电也透露将在2024年引进高数值孔径极紫外光 (high-NA EUV)光刻机,但初期会先以应用研究为主,暂时不会太快投入实际量产使用。

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