三星半导体宣布 3 纳米制程进入量产，功耗可降 45% 并提升 23% 性能表现

全球半导体两大龙头都在朝 3 纳米世代前进，而三星在昨天抢先宣布旗下 3 纳米制程进入量产，采用全新 GAA 技术，官方宣称相较 5 纳米制程，GAA 3 纳米制程可减少芯片功耗 45%，提升 23% 性能表现，并缩小 16% 表面积。

三星宣布已经在韩国华城的厂区中，成功以 GAAFET 制程量产 3 纳米芯片，三星的第一代 3 纳米制程采用 GAA 技术搭配 MBCFET 架构，可以突破原本 FinFET 的技术限制，降低芯片所需电压，并提高驱动电流，达到省电以及性能表现提升。

三星 3 纳米制程首波将应用在高性能低功耗的运算产品，之后也将延伸到行动设备领域。先前有韩国媒体报道，国内的挖矿芯片设计公司上海磐硅半导体是三星的 3 纳米制程客户，高通同样也已下订产能，但将视情况实际下单。

虽然三星在 3 纳米节点抢先量产，不过中央社访问工研院产科国际所研究总监杨瑞临，则指出全球 GAA 技术生态系尚未成熟，GAA 相关的蚀刻及量测问题，以及材料、化学品等都有问题需要克服，ASML 的首台高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影曝光设备也尚未生产，三星以现有的制程方案以 GAA 3 纳米制程量产，成本将会提高、交货期拉长并且良率提升缓慢。

杨瑞临也表示如此一来三星难以创建成本模型，因此也难对客户提出报价，台经院产经数据库研究员暨总监刘佩真也说，三星 3 纳米制程仍未接获实际订单，宣布量产的消息宣传意义大过实际意义。三星半导体虽然拥有不少客户，但以往先进制程开始量产时，初期都会以三星内部使用为主。

市调机构 TrendForce 集邦科技统计，2022 年的第一季全球晶圆代工市占率，台积电以 53.6% 高居第一，三星则以 16.3% 位居第二，三星在 3 纳米率先宣布量产，可能是希望以此拉近与台积电的距离，另外三星也计划在 2025 年以 GAA 技术生产 2 纳米芯片，而台积电则计划在今年下半，进入 3 纳米制程量产。

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